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二氧化硅的湿式蚀刻

点击次数:2497 更新时间:2024-04-08 06:51:00 来源:http://www.zibofenghui.com/ 【关闭

    在微电子组件制作应用中,二氧化硅的湿式蚀刻通常采用氢氟酸溶液加以进行(5)。而二氧化硅可与室温的氢氟酸溶液进行反应,但却不会蚀刻硅基材及复晶硅。反应式如下:SiO2 + 6HF=H2 + SiF6 + 2H2O

    由于氢氟酸对二氧化硅的蚀刻速率相当高,在制程上很难控制,因此在实际应用上都是使用稀释后的氢氟酸溶液,或是添加氟化铵作为缓冲剂的混合液,来进行二氧化硅的蚀刻。氟化铵的加入可避免氟化物离子的消耗,以保持稳定的蚀刻速率。而无添加缓冲剂氢氟酸蚀刻溶液常造成光阻的剥离。典型的缓冲氧化硅蚀刻液(BOE : Buffer Oxide Etcher)(体积比6:1之氟化铵(40%)与氢氟酸(49%))对于高温成长氧化层的蚀刻速率约为1000/min。

    在半导体制程中,二氧化硅的形成方式可分为热氧化及化学气相沉积等方式;而所采用的二氧化硅除了纯二氧化硅外,尚有含有杂质的二氧化硅如BPSG等。然而由于这些以不同方式成长或不同成份的二氧化硅,其组成或是结构并不完全相同,因此氢氟酸溶液对于这些二氧化硅的蚀刻速率也会不同。但一般而言,高温热成长的氧化层较以化学气相沉积方式之氧化层蚀刻速率为慢,因其组成结构较为致密。
     
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